藍克賽基板上成長氧化鋅薄膜

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Title:	藍克賽基板上成長氧化鋅薄膜
Authors:	顏國峻吳信賢 Wu, Sean 林志勳鐘世賓程達隆 (東方技術學院電子與資訊系)
Keywords:	反應性射頻磁控濺鍍;氧化鋅;藍克賽
Date:	2006-11
Issue Date:	2009-08-20 14:43:16 (UTC+8)
Abstract:	本研究主要是以反應性射頻磁控濺鍍系統(reactive rf magnetron sputtering system)在新興壓電晶體材料藍克賽(langasite, LGS)基板上，改變濺鍍參數成長氧化鋅(zinc oxide, ZnO)薄膜，製作成一雙壓電層(ZnO/LGS)的複合壓電材料。所製作之薄膜經由X光繞射(X-ray diffraction, XRD)與掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscopy, SEM)進行微結構分析，藉由控制氧分率與功率對氧化鋅薄膜之結晶特性、濺鍍速率與表面結構做研究探討。研究顯示本研究成功地在藍克賽基板上成長出具有(002)C軸優選取向之氧化鋅薄膜。所採用之製程條件在不加溫的條件下，改變不同濺鍍功率(100W~200W)與氧分率(15%~5%)來成長氧化鋅薄膜，其中在氧分率為20%、射頻功率為200W的製程條件下所製備氧化鋅結晶特性具有最強的(002)繞射峰強度、最大的濺鍍速率，橫截面微結構分析亦具有明顯之柱狀晶結構。
Relation:	真空科技, 18卷4期(2006/02/16) 真空科技, 19卷2期(2006/11), p114-118
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