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    题名: 二氧化鈦電阻式記憶體之特性
    Characteristics of TiO2 Resistive Random Access Memory
    作者: 鄭建民
    陳開煌
    Cheng, Chien-Min
    Chen, Kai-Huang
    (東方設計學院電子與資訊系)
    贡献者: 東方設計學院電子與資訊系
    关键词: 射頻磁控濺鍍
    基板
    漏電流
    電阻式記憶體
    RF Magnetron Sputtering
    Substrate
    Leakage Current
    Resistive Random Access Memory
    日期: 2011-04
    上传时间: 2015-07-14 13:51:15 (UTC+8)
    關聯: 南台學報, 第36卷 第1期, 頁25-34
    Journal of Southern Taiwan University
    显示于类别:[電子與資訊系(遊戲動畫系、動畫科)] 期刊論文

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