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    题名: 利用濃膠凝膠法製備鈣鈦酸鉍鐵電薄膜與其特性研究
    作者: 李育蓁
    吳宗勳
    吳佳霖
    陳開煌
    鄭建民
    (東方設計學院電子與資訊系)
    贡献者: 東方設計學院電子與資訊系
    关键词: 濃膠凝膠法
    鐵電薄膜
    X光繞射圖
    漏電流
    掃描式電子顯微鏡
    日期: 2010-11
    上传时间: 2015-07-08 15:21:47 (UTC+8)
    出版者: 高雄縣大樹鄉：義守大學
    摘要: 本研究主要利用化學溶液沉積法(Sol-gel)在 SiO2/Si 之基板上以室溫來沉積 Bi4Ti3O12(BIT)之鐵電薄膜，薄膜包含了了一層鉍層傳導結構之結晶相位，在沉積 BIT 薄膜後利用不同轉速來量測其 X 光繞射圖(X-ray)以及漏電流密度對電壓(J-V)特性，再利用高溫水平爐管(CTA)在 600、700、750 和 800℃下，退火 1 個小時來成長晶相。BIT 薄膜之表面結構與形態特性之研究可以藉由 X 光繞射圖(XRD)與場發射型掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)來量測其物理特性。而在電性方面，薄膜以金屬-鐡電-介電層-半導體(MFIS)之結構，藉由 HP4156C 半導體參數分析儀來量測 BIT 薄膜的漏電流密度對電壓(J-E)的特性，以了解在 BIT 鐡電薄膜之漏電流與電場關係圖(J-E)，由實驗結果得知，BIT 薄膜在未退火下旋塗方式由第一階段 1000 轉 10 秒、第二階段 4000 轉 30 秒的
    漏電流值約為 3.24×10-8(A/cm2)，利用 X 光繞射圖(XRD)得知(117)晶向 800℃為最強。
    關聯: 99年中國材料科學學會年會論文摘要集, 頁193
    中國材料科學學會年會
    2010 MRS-T ANNUAL MEETING
    显示于类别:[電子與資訊系(遊戲動畫系、動畫科)] 會議論文

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