探討不同腔室壓力對Sr0.4Ba0.6Nb1.85Ta0.15鐵電薄膜在玻璃基板特性分析

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題名:	探討不同腔室壓力對Sr0.4Ba0.6Nb1.85Ta0.15鐵電薄膜在玻璃基板特性分析
作者:	梁書華蘇修賢鄭建民鄒文正陳開煌 (東方設計學院電子與資訊系)
貢獻者:	東方設計學院電子與資訊系
關鍵詞:	非揮發性鐵電記憶體射頻磁控濺鍍法鐵電薄膜
日期:	2010-11
上傳時間:	2015-07-08 15:18:28 (UTC+8)
出版者:	高雄縣大樹鄉：義守大學
摘要:	本研究利用射頻磁控濺鍍法(RF Magnetron Sputtering ) 沉積 Sr0.4Ba0.6Nb1.85Ta0.15O6 (SBNT)薄膜 ITO/glass 基板上，形成金屬/鐵電/金屬(MFM)結構。利用可變化的濺鍍參數如氧氣濃度、濺鍍功率與腔室壓力參數加以變化，以氧氣濃度 40%、濺鍍功率 100W、腔室壓力 15m Torr 為最佳參數，來研究出 I-V 特性圖漏電流大小為10-12 (A/cm2)。在 P-V 方面，獲得殘留極化量為 0.3 μC/cm2與矯頑電場大約為 2.6 V，其中氧氣濃度 40%、濺鍍功率 100W、腔室壓力 15 m Torr 之 SEM 薄膜層是最均勻的。
關聯:	99年中國材料科學學會年會論文摘要集, 頁187 中國材料科學學會年會 2010 MRS-T ANNUAL MEETING
顯示於類別:	[電子與資訊系(遊戲動畫系、動畫科)] 會議論文

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