English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 848/2341 (36%)
造访人次 : 5042259      在线人数 : 57
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧：
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号"，以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻，建议至进阶搜寻限定作者字段，可获得较完整数据
    •  进阶搜寻
    主页 ‧ 登入 ‧ 上传 ‧ 说明 ‧ 关于TFIR ‧ 管理 到手机版


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://163.15.40.127/ir/handle/987654321/1882


    题名: 氧化銅變阻式記憶體製備與特性研究
    作者: 鄭環宜
    梁書華
    陳開煌
    鄭建民
    陳英忠
    (東方設計學院電子與資訊系)
    贡献者: 東方設計學院電子與資訊系
    关键词: 變阻式記憶體
    射頻磁控濺鍍法
    電阻轉換機制
    歐姆接觸
    傅勒-諾得翰穿隧
    日期: 2010-11
    上传时间: 2015-07-08 15:17:07 (UTC+8)
    出版者: 高雄縣大樹鄉：義守大學
    摘要: 本研究為利用射頻磁控濺鍍法沉積氧化銅薄膜於 Pt/TiOx/SiO2/Si 與 ITO/Glass 基板上，並於氧化銅薄膜上鍍製上電極鋁(Al)以形成金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal)之結構。並藉由不同之下電極，探討氧化銅薄膜於變阻式記憶體元件之電阻轉換機制及其高低電阻態之漏電流行為。在物性研究方面，藉由 SEM、XRD 儀器分析薄膜的表面型態、結晶性與粗糙度。在電特性分析方面，採用半導體參數分析儀 HP4156C 來量測氧化銅薄膜的電流對電壓(I-V)特性，以探討RRAM 特性與漏電流行為。由實驗結果得知氧化銅變阻式記憶體元件操作電壓小於 3V，on/offratio 為 102，其低電阻態之漏電行為為歐姆接觸(Ohmic contact)，高電阻態之漏電流行為為傅勒-諾得翰穿隧(F-N tunneling)。
    關聯: 99年中國材料科學學會年會論文摘要集, 頁186
    中國材料科學學會年會
    2010 MRS-T ANNUAL MEETING
    显示于类别:[電子與資訊系(遊戲動畫系、動畫科)] 會議論文

    文件中的档案:

    没有与此文件相关的档案.



    检视Licence

    在TFIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    TAIR相关文章

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈