射頻濺鍍法製備鈦酸鉍薄膜摻雜釹與釩元素ITO基板之特性研究

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Title:	射頻濺鍍法製備鈦酸鉍薄膜摻雜釹與釩元素ITO基板之特性研究
Authors:	蘇峯奕蘇修賢鄭建民陳開煌 (東方設計學院電子與資訊系)
Contributors:	東方設計學院電子與資訊系
Keywords:	非揮發性記憶體 BNTV薄膜鐵電薄膜 ITO玻璃基版
Date:	2010-11
Issue Date:	2015-07-08 15:12:39 (UTC+8)
Publisher:	高雄縣大樹鄉：義守大學
Abstract:	本研究利用射頻磁控濺鍍法在ITO/glass基板上以室溫沉積(Bi3.25Nd0.75)(Ti2.9V0.1)O12(BNTV)鐵電薄膜，其中利用不同氧氣濃度比例，以25%為最佳參數，來研究出C-V與p-E之特性圖。並藉由HP4294A阻抗分析儀和HP4156C半導體參數分析儀來量測BNTV薄膜的電容對電壓(C-V)的特性與漏電流密度對電壓(J-E)的特性，另外利用RT66鐵電量測儀來量測BNTV薄膜之殘留極化量與矯頑電場(p-E)特性曲線。從實驗結果可知，以X-ray繞射圖中，適當的功率才能提升薄膜的品質，當功率140W時，其(117)晶向強度較強，由結果顯示適當的濺鍍功率將使得BNTV薄膜結晶性較佳。另外從p-E曲線所獲得殘留極化量為2μC/cm2與矯頑電場大約為2.5V和飽和極化量為4μC/cm2。
Relation:	99年中國材料科學學會年會論文摘要集, 頁183 中國材料科學學會年會 2010 MRS-T ANNUAL MEETING
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