非揮發性鐵電記憶體元件製備與其特性研究

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Title:	非揮發性鐵電記憶體元件製備與其特性研究
Authors:	陳開煌蔡震寰林俊成鄭建民 (東方設計學院電子與資訊系)
Contributors:	東方設計學院電子與資訊系
Keywords:	非揮發性記憶體鐵電薄膜記憶窗口電滯曲線射頻磁控濺鍍法
Date:	2010-11
Issue Date:	2015-07-08 15:07:57 (UTC+8)
Publisher:	高雄縣大樹鄉：義守大學
Abstract:	利用射頻磁控濺鍍法在ITO/glass基板上以室溫沉積Bi4Ti3O12鐵電薄膜，並改變其不同濺鍍參數，如氧氣濃度，來探討濺鍍參數對鐵電薄膜的影響。並藉由HP4294A阻抗分析儀和HP4156C半導體參數分析儀來量測Bi4Ti3O12薄膜的電容對電壓(C-V)的特性與漏電流密度對電壓(I-V)的特性，另外利用RT66鐵電量測儀來量測Bi4Ti3O12薄膜之殘留極化量與矯頑電場(p-E)特性曲線。由實驗結果可知，以X-ray繞射圖中，適當的通入氧才能提升薄膜的品質，當氧濃度為60 %時發現(117)晶相強度為最強，以p-E來說，添加適當氧氣濃度可獲得40%為最佳氧氣比例的參數，殘留極化量為4μC/cm2與矯頑電場大約為3V和飽和極化量為5μC/cm2，當濺鍍功率為100W時，有較佳的殘餘極化量與矯頑電場大約為3μC/cm2及2V和飽和極化量為6 μC/cm2。
Relation:	99年中國材料科學學會年會論文摘要集, 頁182 中國材料科學學會年會 2010 MRS-T ANNUAL MEETING
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