TUNG FANG Institutional Repository:Item 987654321/175
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 848/2341 (36%)
造訪人次 : 5128636      線上人數 : 64
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧：
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號"，以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋，建議至進階搜尋限定作者欄位，可獲得較完整資料
    •  進階搜尋
    主頁 ‧ 登入 ‧ 上傳 ‧ 說明 ‧ 關於TFIR ‧ 管理 到手機版


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://163.15.40.127/ir/handle/987654321/175


    題名: 利用兩階段雷射退火製程改善Bi4-xLaxTi3-yVyO12(BLTV)鐵電薄膜特性於非揮發性鐵電記憶體元件之應用
    Fabrication and Characteristics of Bi/sub 4-X/La/sub x/Ti/sub 3-Y/V/sub y/O/sub 12/ (BLTV) Thin Films Improved by Two Step Laser Annealing Process for Application in Non-Volatile Ferroelectric Random Access Devices
    作者: 陳開煌
    (行政院國家科學委員會)
    (東方技術學院電子與資訊系)
    關鍵詞: 二階段雷射退火;(Bi4-xLaxTi3-yVyO12) (BLTV);鐵電薄膜;射頻磁控濺鍍法;Two Step Laser Annealing;(Bi4-xLaxTi3-yVyO12) (BLTV);Ferroelectric ThinFilms;RF magnetron Sputtering
    日期: 2008
    上傳時間: 2009-07-29 10:48:47 (UTC+8)
    摘要: 本計劃採用固態反應法進行(Bi4-xLaxTi3-yVyO12) (BLTV)系列鐵電陶瓷靶材之製作，並藉由X-Ray 分析、SEM 分析、介電特性量測、P-E 特性量測，並比較其燒結溫度對介電特性之影響，以掌握最佳比例組成與陶瓷製程參數，並得到最佳介電特性之試樣。接著使用射頻磁控濺鍍法，沉積(Bi4-xLaxTi3-yVyO12) (BLTV) 鐵電陶瓷薄膜，並且探討製程參數對不同Pt/Ti/SiO2/Si 與SiO2/Si 基板的最佳鐵電陶瓷薄膜之介電特性及成長機制之影響。在二階段雷射退火處理下，使用較大雷射功率能量的248 nm 波長KrF 雷射結晶技術，不但不會造成鐵電薄膜結晶現象，反而會造成鐵電薄膜表面熔化的現象，雖然此現象並非是使用雷射結晶技術退火所期待的結果，然而在鐵電電容器元件中，金屬與鐵電薄膜熔化的介面卻使得鐵電薄膜具有較低漏電流大小、較平緩的表面粗糙度與較小的介電損失，因此更能提高鐵電電容器元件的儲存容量、較高的殘餘極化量與具有特性較佳的介電與鐵電材料。The solid reaction method is used to fabricate the (Bi4-xLaxTi3-yVyO12) (BLTV) ceramics target. The process parameters and sintering conditions on the dielectric characteristics of ceramic targets will be studied through the analysis of XRD, SEM, dielectric constant, and P-E characteristics. The best composition and manufacture parameters will be obtained. The composition of (Bi4-xLaxTi3-yVyO12) (BLTV) ceramics with best characteristics will be chosen to fabricate the target for the thin films deposition using rf magnetron sputtering method. Finally, the optimal parameters of (Bi4-xLaxTi3-yVyO12) (BLTV) thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si and SiO2/Si substrates will be studied. In two step laser annealing, the fusion surface of ferroelectric thin films would be caused by the higher 248 nm KrF laser power. The lower leakage current, roughness and dielectric loss of ferroelectric capacitor is attributing to thin films and electrode. For this reason, the larger capacitance, remnant polarization and excellent dielectrically of ferroelectric capacitor would be increased by two step laser annealing.
    顯示於類別:[電子與資訊系(遊戲動畫系、動畫科)] 國科會計畫

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML1082檢視/開啟


    在TFIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    TAIR相關文章

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋