氧氣濃度對於Ba(Zr0.1Ti0.9)O3鐵電薄膜之特性分析

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Title:	氧氣濃度對於Ba(Zr0.1Ti0.9)O3鐵電薄膜之特性分析
Authors:	陳開煌鄒文正張修銘蘇修賢 (東方技術學院電子與資訊系)
Contributors:	東方技術學院電子與資訊系
Keywords:	射頻磁控濺鍍系統鋯鈦酸鋇薄膜鐵電薄膜介電常數漏電流 ITO玻璃基板
Date:	2008-11
Issue Date:	2012-11-21 10:21:15 (UTC+8)
Publisher:	臺北市：國立臺北科技大學
Abstract:	本研究利用射頻磁控濺鍍法成功地在ITO/Glass基板上沉積鋯鈦酸鋇Ba(Zr0.1Ti0.9)O3薄膜，其中濺鍍條件為濺鍍時間1小時、濺鍍功率160W、腔室壓力10mTorr、氧氣濃度40％及基板溫度500℃。薄膜物理分析方面，由XRD關係圖，可發現隋著氧氣濃度的增加，薄膜結晶特性也隨之變佳。除此之外，由AFM關係圖亦可觀察到過多的氧氣濃度將使得粗糙度變大，這也造成電極與鐵電薄膜間的介面缺陷因而增多，此為導致漏電流增加及介電常數無法持續增加的原因；另外由SEM剖面圖可計算薄膜在ITO玻璃基板上之沉積速率約為3.68nm/min。電性分析方面，在MIM(metal-insulator- metal)的結構下，發現於氧氣濃度40％的沉積條件下，薄膜在ITO/Glass基板上的介電常數值為122。在外加電場0.4MV/cm時，薄膜在ITO/Glass基板的漏電流大小約為7x10-7A/cm2，隨著氧氣濃度增加，薄膜中的漏電劉有逐漸降低的趨勢，然而薄膜在氧氣濃度40％時俱有漏電流最小的現象。另外，從P-E曲線可以發現薄膜在ITO玻璃基板上的殘餘極化量約為3μ/cm2矯頑電場約為361kV/cm。
Relation:	2008年中國材料科學學會年會暨學會四十週年慶論文摘要集中國材料科學學會年會
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