探討Bi3.99(Ti2.9V0.1)O12薄膜於非揮發性鐵電記憶體元件之應用

TUNG FANG Institutional Repository > 電子與資訊系(遊戲動畫系、動畫科) > 會議論文 > Item 987654321/1445

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://163.15.40.127/ir/handle/987654321/1445

題名:	探討Bi3.99(Ti2.9V0.1)O12薄膜於非揮發性鐵電記憶體元件之應用
作者:	陳開煌沈冠宏楊正富陳英忠 (東方技術學院電子與資訊系)
貢獻者:	東方技術學院電子與資訊系
關鍵詞:	非揮發性鐵電記憶體射頻磁控濺鍍法鐵電薄膜磁滯曲線
日期:	2008-11
上傳時間:	2012-11-21 10:19:25 (UTC+8)
出版者:	臺北市: 國立臺北科技大學
摘要:	本研究利用射頻磁控濺鍍法(RF Magnetron Sputtering)，成功地在Pt/Ti/SiO2/Si基板上沉積Bi3.99(Ti2.9V0.1)O12鐵電薄膜，其中薄膜最佳的濺鍍條件為氧氣濃度40％，濺鍍功率130W，腔室壓力10mTorr與基板溫度580℃時。在薄膜物性分析方面，由XRD關係圖中，可發現薄膜其(117)與(008)較佳之結晶特性。另外，由SEM表面與剖面圖可觀察其表面結構與薄膜在Pt/Ti/SiO2/Si基板上之沉積速率約為10nm/min。電性分析方面，可發現其電容值為3.4nF，殘餘極化量為2μ/cm2與矯頑電場為750kV/cm。最後可以發現非發揮性鐵電隨機存取記憶體元件之閘極電壓對汲極電流之記憶特性。
關聯:	2008年中國材料科學學會年會暨學會四十週年慶論文摘要集中國材料科學學會年會
顯示於類別:	[電子與資訊系(遊戲動畫系、動畫科)] 會議論文

文件中的檔案:

沒有與此文件相關的檔案.

檢視Licence

在TFIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

TAIR相關文章